在本周于舊金山舉辦的SEMICON West大會上，英特爾推出了系列全新基礎工具，為芯片產(chǎn)品架構開啟新維度。包括：Co-EMIB，將EMIB和Foveros技術相結合的創(chuàng)新應用，以及全方位互連（ODI, Omni-Directional Interconnect）技術和MDIO全新裸片間接口技術。

英特爾期望利用先進技術將芯片和小芯片封裝在一起，達到單晶片系統(tǒng)級芯片的性能。異構集成技術使得能夠在新的多元化模塊中將各種IP和制程技術與不同的內(nèi)存和I/O單元混搭起來。英特爾的垂直集成結構，使得能夠?qū)軜嫛⒅瞥毯头庋b同時進行優(yōu)化。

其中，EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝和 Foveros 3D封裝技術利用高密度的互連技術，實現(xiàn)高帶寬、低功耗，并實現(xiàn)相當有競爭力的I/O密度。而Co-EMIB技術能將更高的計算性能和能力連接起來。Co-EMIB能夠讓兩個或多個Foveros元件互連，基本達到單晶片性能。設計師們還能夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。

同時，ODI全新全方位互連技術（ODI）為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像EMIB技術下一樣與其他小芯片進行水平通信，同時還可以像Foveros技術下一樣，通過硅通孔（TSV）與下面的底部裸片進行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電，這種大通孔比傳統(tǒng)的硅通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩(wěn)定的電力傳輸，同時通過堆疊實現(xiàn)更高帶寬和更低時延。

同時，這種方法減少了基底晶片中所需的硅通孔數(shù)量，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。此外，MDIO全新裸片間接口技術，基于其高級接口總線（AIB）物理層互連技術，英特爾發(fā)布了一項名為MDIO的。MDIO技術支持對小芯片IP模塊庫的模塊化系統(tǒng)設計，能夠提供更高能效，實現(xiàn)AIB技術兩倍以上的響應速度和帶寬密度。

這些新技術共同擴充了英特爾的工具箱，將與英特爾的制程技術相結合，成為芯片架構師的創(chuàng)意調(diào)色板，讓他們能夠自由設計出創(chuàng)新產(chǎn)品。